Desde o início
do século XX, o Vale do Silício tem sido o lar de uma indústria
eletrônica. A indústria começou através da experimentação e inovação nas
áreas de rádio, televisão e produtos eletrônicos militares. Stanford
University, suas afiliadas, e os graduados têm desempenhado um papel
importante no desenvolvimento desta área. Alguns exemplos incluem o
trabalho de Lee De Forest com a sua invenção de um tubo de vácuo
pioneiro chamado Audion e os osciloscópios da Hewlett-Packard.
Durante os anos 1940 e 1950, Frederick Terman,
como reitor da Universidade de Stanford ,
incentivou professores e graduados para começar suas próprias empresas.
Ele é creditado com carinho Hewlett-Packard, Varian Associates, e outras
empresas de alta tecnologia, até que se tornaria o Vale do Silício
cresceu em torno do campus de Stanford. Terman é muitas vezes chamado "o
pai do Vale do Silício".
Durante 1955-85, pesquisa de tecnologia de estado sólido e
desenvolvimento na Universidade de Stanford, seguido de três ondas de
inovação industrial possível graças ao apoio de empresas privadas,
principalmente Bell Telephone Laboratories, Shockley Semiconductor,
Fairchild Semiconductor, e Xerox PARC. Em 1969, o Stanford Research
Institute (SRI International agora), operado um dos quatro nós originais
que compunham a ARPANET, o antecessor da Internet.
Foi no Vale do silicio que o circuito integrado baseado em silício, o
microprocessador, o microcomputador, entre outras tecnologias de chave,
foram desenvolvidos. A região emprega cerca de um quarto de milhão de
trabalhadores de tecnologia da informação. Silicon
Valley foi criada como um meio de inovações pela convergência em um site
de novos conhecimentos tecnológicos; um grande grupo de engenheiros
qualificados e cientistas das principais universidades na área, o
financiamento generoso de um mercado assegurado com o Departamento de
Defesa, o desenvolvimento de um eficiente rede de empresas de capital de
risco, e, na fase inicial, a liderança institucional da Universidade de
Stanford.
quarta-feira, 30 de janeiro de 2013
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